芯片失效分析

    失效分析屬于芯片反向工程開發(fā)范疇。芯片失效分析主要提供封裝去除、層次去除、芯片染色、芯片拍照、大圖彩印、電路修改等技術服務項目。公司專門設立有集成電路失效分析實驗室，配備了國外先進的等離子蝕刻機（RIE）、光學顯微鏡、電子顯微鏡（SEM）和聚焦離子束機（FIB）等設備，滿足各項失效分析服務的要求。
    公司擁有一套完善的失效分析流程及多種分析手段，全方位保證工程質(zhì)量及項目文件的準確無誤。

失效分析流程：
1、外觀檢查，識別crack，burnt mark等問題，拍照。
2、非破壞性分析：主要用xray查看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，csam—查看是否存在delamination
3、進行電測。 
4、進行破壞性分析：即機械機械decap或化學decap等

常用分析手段： 
1、X-Ray 無損偵測，可用于檢測 
* IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性
* PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接 
* 開路、短路或不正常連接的缺陷 
* 封裝中的錫球完整性 
2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 
    可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕
    晶元面脫層
    錫球、晶元或填膠中的裂縫
    封裝材料內(nèi)部的氣孔 
    各種孔洞如晶元接合面、錫球、填膠等處的孔洞
3、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀
    可用于材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸
4、三種常用漏電流路徑分析手段：EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測 
    EMMI微光顯微鏡用于偵測ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的異常。
    OBIRCH常用于芯片內(nèi)部高阻抗及低阻抗分析，線路漏電路徑分析.利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻區(qū)等；也能有效的檢測短路或漏電,是發(fā)光顯微技術的有力補充。 
    LC可偵測因ESD,EOS應力破壞導致芯片失效的具體位置。
5、Probe Station 探針臺/Probing Test探針測試，可用來直接觀測IC內(nèi)部信號
6、ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試
7、FIB做電路修改 
    FIB聚焦離子束可直接對金屬線做切斷、連接或跳線處理. 相對于再次流片驗證, 先用FIB工具來驗證線路設計的修改, 在時效和成本上具有非常明顯的優(yōu)勢. 
    此外，公司技術團隊還積累了諸如原子力顯微鏡AFM ,二次離子質(zhì)譜 SIMS,飛行時間質(zhì)譜TOF － SIMS ,透射電鏡TEM , 場發(fā)射電鏡,場發(fā)射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等多種復雜分析手段。

服務項目：
     封裝去除 
    利用先進的開蓋設備和豐富的操作經(jīng)驗，能夠安全快速去除各種類型的芯片封裝，專業(yè)提供芯片開蓋與取晶粒服務。 

芯片開蓋

開蓋機

     層次去除
   采用先進的刻蝕設備和成熟的刻蝕方法，專業(yè)提供去除聚酰亞氨（Polyimide）、去除氧化層（SiO2）、去除鈍化層（Si3N4、SiO2）、去除金屬層（Al 、CU、W）等芯片去層次技術支持與服務，承諾以完美的刻蝕效果為客戶提供專業(yè)的芯片處理。 
    芯片染色 
    阱區(qū)染色：模擬類型芯片進行反向分析往往需要分析P阱和N阱的分布情況，因此需要對芯片進行阱區(qū)染色，把P阱和N阱用不同的顏色加以區(qū)分。 

    阱區(qū)