失效分析的一般程序
1、收集現(xiàn)場(chǎng)場(chǎng)數(shù)據(jù)
2、電測(cè)并確定失效模式
電測(cè)失效可分為連接性失效、電參數(shù)失效和功能失效。
連接性失效包括開(kāi)路、短路以及電阻值變化。這類失效容易測(cè)試，現(xiàn)場(chǎng)失效多數(shù)由靜電放電(ESD)和過(guò)電應(yīng)力(EOS)引起。
電參數(shù)失效，需進(jìn)行較復(fù)雜的測(cè)量，主要表現(xiàn)形式有參數(shù)值超出規(guī)定范圍(超差)和參數(shù)不穩(wěn)定。
確認(rèn)功能失效，需對(duì)元器件輸入一個(gè)已知的激勵(lì)信號(hào)，測(cè)量輸出結(jié)果。如測(cè)得輸出狀態(tài)與預(yù)計(jì)狀態(tài)相同，則元器件功能正常，否則為失效,功能測(cè)試主要用于集成電路。
三種失效有一定的相關(guān)性,即一種失效可能引起其它種類的失效。功能失效和電參數(shù)失效的根源時(shí)常可歸結(jié)于連接性失效。在缺乏復(fù)雜功能測(cè)試設(shè)備和測(cè)試程序的情況下，有可能用簡(jiǎn)單的連接性測(cè)試和參數(shù)測(cè)試方法進(jìn)行電測(cè)，結(jié)合物理失效分析技術(shù)的應(yīng)用仍然可獲得令人滿意的失效分析結(jié)果。
3、非破壞檢查
X-Ray檢測(cè)，即為在不破壞芯片情況下，利用X射線透視元器件(多方向及角度可選)，檢測(cè)元器件的封裝情況，如氣泡、邦定線異常，晶粒尺寸，支架方向等。
適用情境：檢查邦定有無(wú)異常、封裝有無(wú)缺陷、確認(rèn)晶粒尺寸及l(fā)ayout
優(yōu)勢(shì)：工期短，直觀易分析
劣勢(shì)：獲得信息有限
局限性：
1、相同批次的器件，不同封裝生產(chǎn)線的器件內(nèi)部形狀略微不同;
2、內(nèi)部線路損傷或缺陷很難檢查出來(lái)，必須通過(guò)功能測(cè)試及其他試驗(yàn)獲得。
4、打開(kāi)封裝
開(kāi)封方法有機(jī)械方法和化學(xué)方法兩種,按封裝材料來(lái)分類，微電子器件的封裝種類包括玻璃封裝(二極管)、金屬殼封裝、陶瓷封裝、塑料封裝等。
機(jī)械開(kāi)封
化學(xué)開(kāi)封
5、顯微形貌像技術(shù)
光學(xué)顯微鏡分析技術(shù)
掃描電子顯微鏡的二次電子像技術(shù)
電壓效應(yīng)的失效定位技術(shù)
6、半導(dǎo)體主要失效機(jī)理分析
正常芯片電壓襯度像 失效芯片電壓襯度像 電壓襯度差像
電應(yīng)力(EOD)損傷
靜電放電(ESD)損傷
封裝失效
引線鍵合失效
芯片粘接不良
金屬半導(dǎo)體接觸退化
鈉離子沾污失效
氧化層針孔失效
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關(guān)鍵詞： 失效分析 第三方認(rèn)證機(jī)構(gòu) 連接器測(cè)試 PSE認(rèn)證 電纜檢測(cè) 鹽霧測(cè)試
編輯精選內(nèi)容：
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